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薄膜分析
  X射線衍射對于研究外延層和其他薄膜材料具有特殊價值。采用精密的晶格參數的測量方法,可以很準確的確定晶格的外延層及其基底。在外延器件中晶格參數匹配或不匹配是一個重要因素如磁泡存儲器的磁性石榴石薄膜,LED用摻雜砷化鎵薄膜和高速晶體管和其他重要的電子產品。對于薄膜X射線衍射的另一個應用是使用高溫衍射通過測定晶格參數隨溫度的變化來確定熱膨脹系數。


      X射線衍射儀安裝G?bel鏡后,照射到樣品入射線平行度提高到0.1°以下,可實現對薄膜樣品進行XRR、GIXRD測量,如下圖所示:

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     薄膜掠入射分析(GIXRD):精確分析多層膜中材料的組成、次序、取向等;  

     薄膜反射分析(XRR):針對多晶、單晶多層薄膜厚度、密度、粗燥度進行精確分析;

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     TaC/SiC = 4 nm/1.2 nm薄膜樣品 XRR測量

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     TaC/SiC = 4 nm/1.2 nm薄膜樣品GIXRD測量

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     TaC/SiC = 4 nm/1.2 nm薄膜樣品XRD測量 


    DX-2700BH、DX-2800衍射儀+G?bel鏡


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